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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | P-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension drain-source (vdss) | 30 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 1.1A |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | - |
| rds activé (max) à id, vgs | 462mOhm @ 300mA, 4.5V |
| vgs(th) (max) à id | 1.5V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 1 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | +5.5V, -300mV |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 85 pF @ 15 V |
| fonctionnalité FET | Schottky Diode (Isolated) |
| puissance dissipée (max) | 1W (Ta) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| package d'appareils du fournisseur | 4-WLCSP (1x1) |
| paquet / étui | 4-XFBGA, WLCSP |
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