Welcome to ichome.com!

logo
Maison

FQB11P06TM

FQB11P06TM

FQB11P06TM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

compliant

FQB11P06TM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $0.55256 $442.048
1,600 $0.50182 -
2,400 $0.47009 -
5,600 $0.44788 -
20,000 $0.43202 -
1678 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 175mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 550 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.13W (Ta), 53W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

RS3G160ATTB1
RS3G160ATTB1
$0 $/morceau
SIHG25N40D-E3
SIHG25N40D-E3
$0 $/morceau
R6504ENJTL
R6504ENJTL
$0 $/morceau
AOTF20S60L
IRFB7430GPBF
VN2210N2
VN2210N2
$0 $/morceau
BSR202NL6327HTSA1
IRLD024PBF
IRLD024PBF
$0 $/morceau
STF6N90K5
STF6N90K5
$0 $/morceau
FQH35N40

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.