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FQI3P20TU

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MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK

FQI3P20TU Fiche de données

compliant

FQI3P20TU Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.75000 $0.75
500 $0.7425 $371.25
1000 $0.735 $735
1500 $0.7275 $1091.25
2000 $0.72 $1440
2500 $0.7125 $1781.25
1000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.7Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 250 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.13W (Ta), 52W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur I2PAK (TO-262)
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

BSC070N10NS5ATMA1
PJD25N04_L2_00001
IXTT40N50L2
IXTT40N50L2
$0 $/morceau
IPD30N06S2L23ATMA3
SPS04N60C3
IMW120R090M1HXKSA1
MVGSF1N03LT1G
MVGSF1N03LT1G
$0 $/morceau
FDH038AN08A1
DMG3420UQ-7
DMG3420UQ-7
$0 $/morceau

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