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FQPF13N10

FQPF13N10

FQPF13N10

MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F

FQPF13N10 Fiche de données

compliant

FQPF13N10 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.61000 $0.61
500 $0.6039 $301.95
1000 $0.5978 $597.8
1500 $0.5917 $887.55
2000 $0.5856 $1171.2
2500 $0.5795 $1448.75
146156 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.7A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 180mOhm @ 4.35A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 450 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 30W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F-3
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

FDS8447
FDS8447
$0 $/morceau
RM70P30DF
RM70P30DF
$0 $/morceau
SPA06N60C3XKSA1
SIHB30N60ET1-GE3
STP20NK50Z
STP20NK50Z
$0 $/morceau
IPA075N15N3GXKSA1
2SJ652-RA11
2SJ652-RA11
$0 $/morceau
IXFH88N30P
IXFH88N30P
$0 $/morceau
PSMN1R6-30MLHX

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