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FQPF2N30

FQPF2N30

FQPF2N30

MOSFET N-CH 300V 1.34A TO220F

FQPF2N30 Fiche de données

compliant

FQPF2N30 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
4057 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 300 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.34A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.7Ohm @ 670mA, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 130 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 16W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F-3
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

SI3407DV-T1-BE3
DMTH6016LK3-13
NTTFS1D2N02P1E
NTTFS1D2N02P1E
$0 $/morceau
FQD17N08LTF
DMN62D0LFB-7
SIHW70N60EF-GE3
IRLML6402TRPBF
IPB080N03L G
IST026N10NM5AUMA1

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