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FQPF33N10L

FQPF33N10L

FQPF33N10L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

compliant

FQPF33N10L Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.89000 $1.89
10 $1.67600 $16.76
100 $1.32490 $132.49
500 $1.02744 $513.72
1,000 $0.81114 -
18330 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 52mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1630 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 41W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F-3
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

PSMN034-100PS,127
FDFMJ2P023Z
STY145N65M5
STY145N65M5
$0 $/morceau
SQ3418EV-T1_GE3
STP150N3LLH6
STP150N3LLH6
$0 $/morceau
SSU1N50BTU
SQJ123ELP-T1_GE3
FQB19N20TM
FQB19N20TM
$0 $/morceau
RQ6E045BNTCR
RQ6E045BNTCR
$0 $/morceau
2N7002ET7G
2N7002ET7G
$0 $/morceau

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