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G3S12002C

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI

G3S12002C Fiche de données

compliant

G3S12002C Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.08000 $4.08
500 $4.0392 $2019.6
1000 $3.9984 $3998.4
1500 $3.9576 $5936.4
2000 $3.9168 $7833.6
2500 $3.876 $9690
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 8.8A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 2 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 170pF @ 0V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
package d'appareils du fournisseur TO-252
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

SKR240/16
SKR240/16
$0 $/morceau
US1MF
US1MF
$0 $/morceau
JANTX1N3595-1/TR
RS2KFS
DSEP12-12BZ-TUB
DSEP12-12BZ-TUB
$0 $/morceau
MER1DMB_R2_00601
NTE6129
NTE6129
$0 $/morceau

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