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G3S12003H

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G3S12003H

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI

G3S12003H Fiche de données

compliant

G3S12003H Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.87000 $4.87
500 $4.8213 $2410.65
1000 $4.7726 $4772.6
1500 $4.7239 $7085.85
2000 $4.6752 $9350.4
2500 $4.6265 $11566.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 9A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 3 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 100 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 260pF @ 0V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-220-2 Full Pack
package d'appareils du fournisseur TO-220F
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

PMEG150G30ELP-QX
MUR320SBH
SK16-LTP
SK16-LTP
$0 $/morceau
HER202G-TP
HER202G-TP
$0 $/morceau
BAS16GWX
BAS16GWX
$0 $/morceau
RBR1VWM30ATFTR
IDDD20G65C6XTMA1
JANS1N5807US/TR
PT800K
PT800K
$0 $/morceau

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