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G3S12005D

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI

G3S12005D Fiche de données

non conforme

G3S12005D Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $8.14000 $8.14
500 $8.0586 $4029.3
1000 $7.9772 $7977.2
1500 $7.8958 $11843.7
2000 $7.8144 $15628.8
2500 $7.733 $19332.5
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 34A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 5 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 475pF @ 0V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
package d'appareils du fournisseur TO-263
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

RFN20NS6SFHTL
CDBA3200-HF
CDBA3200-HF
$0 $/morceau
NTE5883
NTE5883
$0 $/morceau
FR2WSMA
FR2WSMA
$0 $/morceau
1N2025R
1N2025R
$0 $/morceau
UFT3150A
UFT3150A
$0 $/morceau
S1JF_R1_00001

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