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G3S12010B

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

G3S12010B Fiche de données

non conforme

G3S12010B Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $17.14000 $17.14
500 $16.9686 $8484.3
1000 $16.7972 $16797.2
1500 $16.6258 $24938.7
2000 $16.4544 $32908.8
2500 $16.283 $40707.5
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
configuration des diodes 1 Pair Common Cathode
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) (par diode) 39A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 5 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 1200 V
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-247-3
package d'appareils du fournisseur TO-247AB
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Numéro de pièce associé

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