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G3S12010BM

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

non conforme

G3S12010BM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $15.80000 $15.8
500 $15.642 $7821
1000 $15.484 $15484
1500 $15.326 $22989
2000 $15.168 $30336
2500 $15.01 $37525
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
configuration des diodes 1 Pair Common Cathode
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) (par diode) 19.8A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 5 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 1200 V
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-247-3
package d'appareils du fournisseur TO-247AB
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Numéro de pièce associé

DD220N16SHPSA1
MSC2X30SDA120J
MUR1640CTG
MUR1640CTG
$0 $/morceau
DA221WMTL
DA221WMTL
$0 $/morceau
STTH10002TV1
STTH10002TV1
$0 $/morceau
HSM88WA-JTL
DA228UMTL
DA228UMTL
$0 $/morceau

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