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G3S12010P

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

G3S12010P Fiche de données

compliant

G3S12010P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $14.88000 $14.88
500 $14.7312 $7365.6
1000 $14.5824 $14582.4
1500 $14.4336 $21650.4
2000 $14.2848 $28569.6
2500 $14.136 $35340
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 37A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 110 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 765pF @ 0V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-247-2
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

GL34JR13
GL34JR13
$0 $/morceau
1N4148WT-7
1N4148WT-7
$0 $/morceau
1N5817-TP
1N5817-TP
$0 $/morceau
MBR140HW
MBR140HW
$0 $/morceau
CDBQR70
CDBQR70
$0 $/morceau
STTH10R04D
STTH10R04D
$0 $/morceau
ER1G-LTP
ER1G-LTP
$0 $/morceau
CDLL1A30
CDLL1A30
$0 $/morceau
FES1DE-7
FES1DE-7
$0 $/morceau

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