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G3S12015H

G3S12015H

G3S12015H

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A 2-P

G3S12015H Fiche de données

non conforme

G3S12015H Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $22.08000 $22.08
500 $21.8592 $10929.6
1000 $21.6384 $21638.4
1500 $21.4176 $32126.4
2000 $21.1968 $42393.6
2500 $20.976 $52440
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 21A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 15 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 1700pF @ 0V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-220-2 Full Pack
package d'appareils du fournisseur TO-220F
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

PMEG100T10ELXDX
JANTX1N3612
RBR1MM60ATFTR
SK3B
SK3B
$0 $/morceau
S3M-Q-CT
S3M-Q-CT
$0 $/morceau
D6001N50TXPSA1
PMEG4030EP,115

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