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G5S06508QT

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G5S06508QT

SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN8*

non conforme

G5S06508QT Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.62000 $6.62
500 $6.5538 $3276.9
1000 $6.4876 $6487.6
1500 $6.4214 $9632.1
2000 $6.3552 $12710.4
2500 $6.289 $15722.5
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 650 V
courant - moyen redressé (io) 44.9A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.5 V @ 8 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 650 V
capacité à vr, f 550pF @ 0V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui 4-PowerTSFN
package d'appareils du fournisseur 4-DFN (8x8)
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

R42140F
R42140F
$0 $/morceau
RM 1ZV1
RM 1ZV1
$0 $/morceau
HSB88WSTR-E
GLHUELSE1627XPSA1
1N3890AR
1N3890AR
$0 $/morceau
DMA10P1600UZ-TUB
DMA10P1600UZ-TUB
$0 $/morceau
A187PD
A187PD
$0 $/morceau
3SM6
3SM6
$0 $/morceau
SCH15000
SCH15000
$0 $/morceau

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