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G5S12010BM

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

non conforme

G5S12010BM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $14.88000 $14.88
500 $14.7312 $7365.6
1000 $14.5824 $14582.4
1500 $14.4336 $21650.4
2000 $14.2848 $28569.6
2500 $14.136 $35340
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
configuration des diodes 1 Pair Common Cathode
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) (par diode) 19.35A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 5 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 1200 V
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-247-3
package d'appareils du fournisseur TO-247AB
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Numéro de pièce associé

BAS16VA-7
BAS16VA-7
$0 $/morceau
BAV199
BAV199
$0 $/morceau
MBRT200200
BAS40TW-TP
BAS40TW-TP
$0 $/morceau
MBR40L60CTG
MBR40L60CTG
$0 $/morceau
STPS15L45CBY-TR
1SS184-TP
1SS184-TP
$0 $/morceau

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