Welcome to ichome.com!

logo
Maison

G5S12010D

G5S12010D

G5S12010D

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

G5S12010D Fiche de données

compliant

G5S12010D Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $13.49000 $13.49
500 $13.3551 $6677.55
1000 $13.2202 $13220.2
1500 $13.0853 $19627.95
2000 $12.9504 $25900.8
2500 $12.8155 $32038.75
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 30.9A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 10 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 825pF @ 0V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
package d'appareils du fournisseur TO-263
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

MBR20100
MBR20100
$0 $/morceau
HS2M
HS2M
$0 $/morceau
GP3D040A065U
GP3D040A065U
$0 $/morceau
SDT5100LP5-13D
P3D06010E2
NRVB8H100MFST3G
NRVB8H100MFST3G
$0 $/morceau
S2J
S2J
$0 $/morceau

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.