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G5S6504Z

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SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A DFN5*

G5S6504Z Fiche de données

compliant

G5S6504Z Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.41000 $3.41
500 $3.3759 $1687.95
1000 $3.3418 $3341.8
1500 $3.3077 $4961.55
2000 $3.2736 $6547.2
2500 $3.2395 $8098.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 650 V
courant - moyen redressé (io) 15.45A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.6 V @ 4 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 650 V
capacité à vr, f 181pF @ 0V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerTDFN
package d'appareils du fournisseur 8-DFN (4.9x5.75)
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

SB07-03C-TB-E
SB07-03C-TB-E
$0 $/morceau
EM 1ZV1
EM 1ZV1
$0 $/morceau
MBRB1045T4
MBRB1045T4
$0 $/morceau
JANTXV1N5622US/TR
AES1D-HF
AES1D-HF
$0 $/morceau
HSM550J/TR13

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