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G5S6506Z

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SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A DFN5*

G5S6506Z Fiche de données

non conforme

G5S6506Z Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.92000 $5.92
500 $5.8608 $2930.4
1000 $5.8016 $5801.6
1500 $5.7424 $8613.6
2000 $5.6832 $11366.4
2500 $5.624 $14060
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 650 V
courant - moyen redressé (io) 30.5A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.5 V @ 6 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 650 V
capacité à vr, f 395pF @ 0V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerTDFN
package d'appareils du fournisseur 8-DFN (4.9x5.75)
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

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