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HUF75339S3ST

HUF75339S3ST

HUF75339S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

HUF75339S3ST Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.88000 $0.88
500 $0.8712 $435.6
1000 $0.8624 $862.4
1500 $0.8536 $1280.4
2000 $0.8448 $1689.6
2500 $0.836 $2090
650 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 75A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 12mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 200W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

FQD1N50TM
NVTFS4C08NWFTWG
NVTFS4C08NWFTWG
$0 $/morceau
SUM90220E-GE3
SUM90220E-GE3
$0 $/morceau
BUZ73A
BUZ73A
$0 $/morceau
AOSN32338C
IPP80N08S207AKSA1
MCH3427-TL-E
MCH3427-TL-E
$0 $/morceau
SCT2080KEHRC11

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