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HUF75637S3ST

HUF75637S3ST

HUF75637S3ST

MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

compliant

HUF75637S3ST Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.36000 $1.36
500 $1.3464 $673.2
1000 $1.3328 $1332.8
1500 $1.3192 $1978.8
2000 $1.3056 $2611.2
2500 $1.292 $3230
1429 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 44A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 30mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 108 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1700 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 155W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

FDN86246
FDN86246
$0 $/morceau
BSC019N06NSATMA1
DMN3069L-7
DMN3069L-7
$0 $/morceau
SUD35N10-26P-T4GE3
RU1J002YNTCL
RU1J002YNTCL
$0 $/morceau
FDS5680
FDS5680
$0 $/morceau
SQ2315ES-T1_GE3
DMP4047SK3-13
AOI380A60C

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