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HUF75639S3

HUF75639S3

HUF75639S3

MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK

compliant

HUF75639S3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $1.59749 $1277.992
5937 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 56A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 200W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur I2PAK (TO-262)
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

SQJ186EP-T1_GE3
IXFR15N100Q3
IXFR15N100Q3
$0 $/morceau
DMP6350SQ-7
DMP6350SQ-7
$0 $/morceau
FDB86360-F085
FDB86360-F085
$0 $/morceau
IPB80N04S204ATMA2
RK7002BMHZGT116
AOI7S65
IRF8010PBF
ZVN2120GTA
ZVN2120GTA
$0 $/morceau
FDN340P
FDN340P
$0 $/morceau

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