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HUF75945G3

HUF75945G3

HUF75945G3

N-CHANNEL POWER MOSFET

non conforme

HUF75945G3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.31000 $2.31
500 $2.2869 $1143.45
1000 $2.2638 $2263.8
1500 $2.2407 $3361.05
2000 $2.2176 $4435.2
2500 $2.1945 $5486.25
3000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 38A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 71mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 280 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4023 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 310W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AD
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

STWA50N65DM2AG
HUF75639S3_NL
ATP404-TL-H
ATP404-TL-H
$0 $/morceau
SQD40061EL-T4_GE3
IRF6775MTRPBF
SIHG22N65E-GE3
SIHG22N65E-GE3
$0 $/morceau
STN4NF06L
STN4NF06L
$0 $/morceau
DMN25D0UFA-7B
BUK7528-55A,127
BUK7528-55A,127
$0 $/morceau
STB11N52K3
STB11N52K3
$0 $/morceau

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