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HUF76113SK8

HUF76113SK8

HUF76113SK8

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

HUF76113SK8 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
1960 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 30mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 585 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur US8
paquet / étui 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
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Numéro de pièce associé

NTD5867NL-1G
NTD5867NL-1G
$0 $/morceau
IXFX26N120P
IXFX26N120P
$0 $/morceau
AOT66613L
BUK7631-100E,118
BUK7631-100E,118
$0 $/morceau
FDMC86184
FDMC86184
$0 $/morceau
IRF6717MTRPBF
DMT10H009SK3-13
BSC152N10NSFG
IPI600N25N3GAKSA1
STP11NM60FDFP

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