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HUF76121P3

HUF76121P3

HUF76121P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

non conforme

HUF76121P3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
26402 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 47A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 21mOhm @ 47A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 850 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 75W (Tc)
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220AB
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

SIHD6N65ET1-GE3
FKP252
FKP252
$0 $/morceau
AOT7S60L
STB57N65M5
STB57N65M5
$0 $/morceau
IXFK44N80P
IXFK44N80P
$0 $/morceau
IPD03N03LA G
FQAF6N80
IPP041N04NGXKSA1
SIHA21N60EF-E3
SIHA21N60EF-E3
$0 $/morceau

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