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HUF76129D3S

HUF76129D3S

HUF76129D3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

non conforme

HUF76129D3S Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.54000 $0.54
500 $0.5346 $267.3
1000 $0.5292 $529.2
1500 $0.5238 $785.7
2000 $0.5184 $1036.8
2500 $0.513 $1282.5
24723 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 16mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1425 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 105W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252-3 (DPAK)
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IRFR9010TRLPBF
IRFR9010TRLPBF
$0 $/morceau
SI7625DN-T1-GE3
ZXM62P03E6TA
DMT6015LSS-13
FDMC8678S
STWA72N60DM2AG
IRF740ALPBF
IRF740ALPBF
$0 $/morceau
STP10LN80K5
STP10LN80K5
$0 $/morceau
SQJ840EP-T1_GE3

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