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HUF76639S3S

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HUF76639S3S

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

non conforme

HUF76639S3S Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.66000 $0.66
500 $0.6534 $326.7
1000 $0.6468 $646.8
1500 $0.6402 $960.3
2000 $0.6336 $1267.2
2500 $0.627 $1567.5
535 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 51A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 26mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2400 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 180W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

NVMFS5C670NWFT1G
NVMFS5C670NWFT1G
$0 $/morceau
SI4463BDY-T1-GE3
FDS7098N3
STWA48N60M6
STWA48N60M6
$0 $/morceau
IPU50R950CEAKMA1
STI18N65M5
STI18N65M5
$0 $/morceau
SQD25N15-52_GE3
SIJA58ADP-T1-GE3
STF120NF10
STF120NF10
$0 $/morceau
IPT60R075CFD7XTMA1

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