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IRF710

IRF710

IRF710

MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB

IRF710 Fiche de données

compliant

IRF710 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.37000 $0.37
500 $0.3663 $183.15
1000 $0.3626 $362.6
1500 $0.3589 $538.35
2000 $0.3552 $710.4
2500 $0.3515 $878.75
19500 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 400 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 135 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 36W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220AB
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

BSD316SNH6327XTSA1
PMV230ENEAR
PMV230ENEAR
$0 $/morceau
IXFN120N20
IXFN120N20
$0 $/morceau
SISS30LDN-T1-GE3
IXFB70N100X
IXFB70N100X
$0 $/morceau
SI4451DY-T1-E3
SI4451DY-T1-E3
$0 $/morceau
PMV37EN,215
PMV37EN,215
$0 $/morceau
APT5024BFLLG
FQB46N15TM
CSD19536KCS
CSD19536KCS
$0 $/morceau

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