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IRFF221

IRFF221

IRFF221

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFF221 Fiche de données

compliant

IRFF221 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.07000 $1.07
500 $1.0593 $529.65
1000 $1.0486 $1048.6
1500 $1.0379 $1556.85
2000 $1.0272 $2054.4
2500 $1.0165 $2541.25
900 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 150 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 800mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 450 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 20W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-205AF (TO-39)
paquet / étui TO-205AF Metal Can
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Numéro de pièce associé

SI4164DY-T1-GE3
FQU13N06LTU-WS
FQU13N06LTU-WS
$0 $/morceau
STL8N10LF3
STL8N10LF3
$0 $/morceau
SISS32DN-T1-GE3
IPT60R022S7XTMA1
IRFP3306PBF
CSD19538Q3AT
CSD19538Q3AT
$0 $/morceau
NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1G
$0 $/morceau
IPB120N04S401ATMA1

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