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IRFP451

IRFP451

IRFP451

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFP451 Fiche de données

compliant

IRFP451 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.60000 $3.6
500 $3.564 $1782
1000 $3.528 $3528
1500 $3.492 $5238
2000 $3.456 $6912
2500 $3.42 $8550
538 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 450 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 14A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 400mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 180W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

DMT12H7M9LPSW-13
SIR800DP-T1-RE3
DMN3061SWQ-13
RF1S23N06LESM9A
SQS482EN-T1_BE3
IRF711
IRF711
$0 $/morceau
DMT12H7M9SPSW-13
FQP4N50
FQP4N50
$0 $/morceau

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