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ISL9N312AD3

ISL9N312AD3

ISL9N312AD3

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

ISL9N312AD3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.27000 $0.27
500 $0.2673 $133.65
1000 $0.2646 $264.6
1500 $0.2619 $392.85
2000 $0.2592 $518.4
2500 $0.2565 $641.25
211233 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 50A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 12mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1450 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 75W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur I-PAK
paquet / étui TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Numéro de pièce associé

AOTF288L
IRF2804STRRPBF
AOH3106
SISH434DN-T1-GE3
RF1K4915696
BSC005N03LS5ATMA1
APT50M38JLL
ZXMP10A17GQTC
CSD16301Q2
CSD16301Q2
$0 $/morceau
RFD4N06LSM9A

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