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RF1S22N10SM

RF1S22N10SM

RF1S22N10SM

N-CHANNEL POWER MOSFET

non conforme

RF1S22N10SM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.73000 $0.73
500 $0.7227 $361.35
1000 $0.7154 $715.4
1500 $0.7081 $1062.15
2000 $0.7008 $1401.6
2500 $0.6935 $1733.75
3853 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 22A
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263AB
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IPB020N04NGATMA1
BUK9M43-100EX
BUK9M43-100EX
$0 $/morceau
PJW5N06A_R2_00001
IPW65R310CFD
SIRA18BDP-T1-GE3
STP4N150
STP4N150
$0 $/morceau
FDMT800100DC
FDMT800100DC
$0 $/morceau
P3M12040K3
2N7008-G
2N7008-G
$0 $/morceau
FDS2170N7

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