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RF1S45N02LSM

RF1S45N02LSM

RF1S45N02LSM

N-CHANNEL POWER MOSFET

non conforme

RF1S45N02LSM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
800 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 45A
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263AB
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

NTMFS5C604NLT3G
NTMFS5C604NLT3G
$0 $/morceau
SIHP7N60E-BE3
SIHP7N60E-BE3
$0 $/morceau
MVSF2N02ELT1G
MVSF2N02ELT1G
$0 $/morceau
VN2110K1-G
VN2110K1-G
$0 $/morceau
AOT66616L
AO7417
IXFR20N120P
IXFR20N120P
$0 $/morceau
AOT7S65L
G2R120MT33J
SSN1N45BBU

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