Welcome to ichome.com!
| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension drain-source (vdss) | 60 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 2A (Tc) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 5V |
| rds activé (max) à id, vgs | 200mOhm @ 2A, 5V |
| vgs(th) (max) à id | 2V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 30 nC @ 10 V |
| vgs (max) | +10V, -5V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 535 pF @ 25 V |
| fonctionnalité FET | - |
| puissance dissipée (max) | 1.09W (Tc) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Through Hole |
| package d'appareils du fournisseur | 4-DIP, Hexdip |
| paquet / étui | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.