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SI4953DY

SI4953DY

SI4953DY

P-CHANNEL POWER MOSFET

SI4953DY Fiche de données

compliant

SI4953DY Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET -
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.9A (Ta)
rds activé (max) à id, vgs 53mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 750pF @ 15V
puissance - max 900mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

IRFR220119
IRFR220119
$0 $/morceau
AOE6920
STS1DNF20
STS1DNF20
$0 $/morceau
ECH8601M-P-TL-H
ECH8601M-P-TL-H
$0 $/morceau
FDM2452NZ
FDS9431
FDS9431
$0 $/morceau
APTM20DHM16TG
QJD1210SA1
QJD1210SA1
$0 $/morceau
APTML502UM90R020T3AG

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