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SI9926DY

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N-CHANNEL POWER MOSFET

SI9926DY Fiche de données

compliant

SI9926DY Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.22000 $0.22
500 $0.2178 $108.9
1000 $0.2156 $215.6
1500 $0.2134 $320.1
2000 $0.2112 $422.4
2500 $0.209 $522.5
4791 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.5A (Ta)
rds activé (max) à id, vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 700pF @ 10V
puissance - max 900mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

DMNH6065SPDW-13
PJT138L_R1_00001
2SK4085LS-CBC11-SY
2SK4085LS-CBC11-SY
$0 $/morceau
AOCA32108E
FDMS9410L
FMM22-06PF
FMM22-06PF
$0 $/morceau
MCH6620-TL-E
MCH6620-TL-E
$0 $/morceau
APTM120A20SG
PJT138K_R1_00001
NTTFD018N08LC
NTTFD018N08LC
$0 $/morceau

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