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SSR1N60BTF

SSR1N60BTF

SSR1N60BTF

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

SSR1N60BTF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.24000 $0.24
500 $0.2376 $118.8
1000 $0.2352 $235.2
1500 $0.2328 $349.2
2000 $0.2304 $460.8
2500 $0.228 $570
76000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 900mA (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 12Ohm @ 450mA, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 215 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

NDF06N62ZG
NDF06N62ZG
$0 $/morceau
HUF76407D3ST
HUF76407D3ST
$0 $/morceau
STB20N65M5
STB20N65M5
$0 $/morceau
FQU2N90TU-WS
FQU2N90TU-WS
$0 $/morceau
FKV575
FKV575
$0 $/morceau
BSS127H6327XTSA2
SQJ464EP-T2_GE3
BSZ180P03NS3EGATMA1
BSB028N06NN3GXUMA1

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