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BS870-7-F

BS870-7-F

BS870-7-F

MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3

BS870-7-F Fiche de données

compliant

BS870-7-F Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.06825 -
6,000 $0.06000 -
15,000 $0.05175 -
30,000 $0.04900 -
75,000 $0.04625 -
150,000 $0.04075 -
17780 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 250mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 50 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 300mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

IRF840SPBF
IRF840SPBF
$0 $/morceau
SUP57N20-33-E3
SUP57N20-33-E3
$0 $/morceau
AUIRFR48ZTRL
SIJA52ADP-T1-GE3
BUK9Y12-100E,115
PSMN9R0-30YL,115
PSMN9R0-30YL,115
$0 $/morceau
APT41M80B2
APT41M80B2
$0 $/morceau
SCT4062KW7HRTL
FDP060AN08A0
FDP060AN08A0
$0 $/morceau
FDB8160
FDB8160
$0 $/morceau

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