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DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

compliant

DMG6602SVT-7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.10560 -
6,000 $0.09592 -
15,000 $0.08624 -
30,000 $0.08140 -
75,000 $0.07317 -
150,000 $0.07075 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.4A, 2.8A
rds activé (max) à id, vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 13nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 400pF @ 15V
puissance - max 840mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur TSOT-26
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Numéro de pièce associé

PMZ950UPE,315
PMZ950UPE,315
$0 $/morceau
DMN3015LSD-13
SH8KA4TB
SH8KA4TB
$0 $/morceau
SIZ270DT-T1-GE3
SI4202DY-T1-GE3
ZXMN3A06DN8TA
QH8JB5TCR
QH8JB5TCR
$0 $/morceau
SI5948DU-T1-GE3
BUK9K17-60EX
BUK9K17-60EX
$0 $/morceau

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