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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 100V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 2.9A, 2.3A |
| rds activé (max) à id, vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 3V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 9.7nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1167pF @ 25V |
| puissance - max | 2.1W |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 12-VDFN Exposed Pad |
| package d'appareils du fournisseur | V-DFN5045-12 |
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