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DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

compliant

DMN1019UVT-7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.49000 $0.49
500 $0.4851 $242.55
1000 $0.4802 $480.2
1500 $0.4753 $712.95
2000 $0.4704 $940.8
2500 $0.4655 $1163.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10.7A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.2V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 800mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 50.4 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2588 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.73W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TSOT-26
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Numéro de pièce associé

SUP70040E-GE3
SUP70040E-GE3
$0 $/morceau
SIB417EDK-T1-GE3
MTB4N50ET4
MTB4N50ET4
$0 $/morceau
HUFA75339P3
IRFU7740PBF
APT60M75JFLL
IPD26N06S2L35ATMA2
IXTH130N20T
IXTH130N20T
$0 $/morceau
SQJA12EP-T1_GE3

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