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DMN2005UFGQ-7

DMN2005UFGQ-7

DMN2005UFGQ-7

MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333

compliant

DMN2005UFGQ-7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.43582 $0.43582
500 $0.4314618 $215.7309
1000 $0.4271036 $427.1036
1500 $0.4227454 $634.1181
2000 $0.4183872 $836.7744
2500 $0.414029 $1035.0725
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Ta), 50A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 164 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6495 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.05W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerDI3333-8
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

BSS139IXTSA1
BUK9Y2R4-40HX
BUK9Y2R4-40HX
$0 $/morceau
IRF150P221AKMA1
STHU32N65DM6AG
DMT3009UFVW-13
PMV28XPEAR
PMV28XPEAR
$0 $/morceau
DMN62D1LFDQ-7
IXTY02N50D-TRL
IXTY02N50D-TRL
$0 $/morceau

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