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DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

SOT-23

non conforme

DMN2014LHAB-7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.21374 -
6,000 $0.20140 -
15,000 $0.18906 -
30,000 $0.18042 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A
rds activé (max) à id, vgs 13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1550pF @ 10V
puissance - max 800mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-UFDFN Exposed Pad
package d'appareils du fournisseur U-DFN2030-6 (Type B)
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Numéro de pièce associé

SQ3989EV-T1_BE3
FDS4559
FDS4559
$0 $/morceau
AO4813
CSD88584Q5DC
CSD88584Q5DC
$0 $/morceau
FDMS8095AC
FDMS8095AC
$0 $/morceau
MCQ7328-TP
MCQ7328-TP
$0 $/morceau
UT6K3TCR1
UT6K3TCR1
$0 $/morceau
MSCSM70AM07CT3AG
TT8K11TCR
TT8K11TCR
$0 $/morceau
SI9926CDY-T1-E3

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