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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | P-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 8 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 10A (Ta) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 2.5V, 4.5V |
rds activé (max) à id, vgs | 10mOhm @ 2A, 4.5V |
vgs(th) (max) à id | 1.1V @ 250µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 10.5 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | -6V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1060 pF @ 4 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 890mW (Ta) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | U-WLB1515-9 |
paquet / étui | 9-UFBGA, WLBGA |
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