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DMT10H017LPD-13

DMT10H017LPD-13

DMT10H017LPD-13

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

non conforme

DMT10H017LPD-13 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.82128 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 54.7A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 17.4mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 28.6nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1986pF @ 50V
puissance - max 2.2W (Ta), 78W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerTDFN
package d'appareils du fournisseur PowerDI5060-8
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Numéro de pièce associé

PMDPB56XNEAX
PMDPB56XNEAX
$0 $/morceau
SI7998DP-T1-GE3
SI5504BDC-T1-E3
MCH6605-TL-E
MCH6605-TL-E
$0 $/morceau
NTLUD4C26NTAG
NTLUD4C26NTAG
$0 $/morceau
2N7002DWH6327XTSA1
DF11MR12W1M1PB11BPSA1
US6M2TR
US6M2TR
$0 $/morceau
SH8M24TB1
SH8M24TB1
$0 $/morceau

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