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DMTH4014LFVW-13

DMTH4014LFVW-13

DMTH4014LFVW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

compliant

DMTH4014LFVW-13 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.21364 $0.21364
500 $0.2115036 $105.7518
1000 $0.2093672 $209.3672
1500 $0.2072308 $310.8462
2000 $0.2050944 $410.1888
2500 $0.202958 $507.395
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 13.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 750 pF @ 20 V
fonctionnalité FET Standard
puissance dissipée (max) 3.1W (Ta), 57.7W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount, Wettable Flank
package d'appareils du fournisseur PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

G50N03J
G50N03J
$0 $/morceau
DMT5012LFVW-13
NTBL082N65S3HF
NTBL082N65S3HF
$0 $/morceau
DMT10H032SFVW-7
DMT10H032LFDF-7
NTMFS4C808NAT3G
NTMFS4C808NAT3G
$0 $/morceau
RF4G100BGTCR
RF4G100BGTCR
$0 $/morceau
RJK6012DPP-E0#T2
RJK6012DPP-E0#T2
$0 $/morceau
IPL65R200CFD7AUMA1

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