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DMTH47M2LPSW-13

DMTH47M2LPSW-13

DMTH47M2LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

non conforme

DMTH47M2LPSW-13 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.25329 $0.25329
500 $0.2507571 $125.37855
1000 $0.2482242 $248.2242
1500 $0.2456913 $368.53695
2000 $0.2431584 $486.3168
2500 $0.2406255 $601.56375
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 73A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 891 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount, Wettable Flank
package d'appareils du fournisseur PowerDI5060-8 (Type UX)
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

STW69N65M5-4
STW69N65M5-4
$0 $/morceau
NVH4L018N075SC1
NVH4L018N075SC1
$0 $/morceau
IPLK80R900P7ATMA1
SIDR220EP-T1-RE3
RM45N600T7
RM45N600T7
$0 $/morceau
IPW65R075CFD7AXKSA1
NVMFS5C426NAFT3G
NVMFS5C426NAFT3G
$0 $/morceau
IPW60R099P7XKSA1
DMN4060SVT-7

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