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DMTH69M8LFVW-7

DMTH69M8LFVW-7

DMTH69M8LFVW-7

MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI

compliant

DMTH69M8LFVW-7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.30257 $0.30257
500 $0.2995443 $149.77215
1000 $0.2965186 $296.5186
1500 $0.2934929 $440.23935
2000 $0.2904672 $580.9344
2500 $0.2874415 $718.60375
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 33.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1925 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount, Wettable Flank
package d'appareils du fournisseur PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

DMN3018SFGQ-13
2SJ604-ZJ-E1-AZ
2SJ604-ZJ-E1-AZ
$0 $/morceau
APT1201R6BVRG
BSB165N15NZ3G
DMTH8008SPSQ-13
MSJB17N80-TP
DMN10H220LFVW-13

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