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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 100V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 800mA, 680mA |
| rds activé (max) à id, vgs | 700mOhm @ 1.5A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 4V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 2.9nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 138pF @ 60V |
| puissance - max | 870mW |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
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