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ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

non conforme

ZXMN6A09DN8TC Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.3A
rds activé (max) à id, vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 24.2nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1407pF @ 40V
puissance - max 1.25W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SO
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Numéro de pièce associé

TPIC1502DW
TPIC1502DW
$0 $/morceau
TMC1340-SO
AO4842L
IRF8915
IRF8915
$0 $/morceau
IRF7304TR
IRF7304TR
$0 $/morceau
SI1988DH-T1-GE3
APTM50TDUM65PG
SI3909DV-T1-GE3
IRF9389PBF

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