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DI030N03D1

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DI030N03D1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 DPAK

compliant

DI030N03D1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.31960 $0.3196
500 $0.316404 $158.202
1000 $0.313208 $313.208
1500 $0.310012 $465.018
2000 $0.306816 $613.632
2500 $0.30362 $759.05
2500 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 14mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 940 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 40W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252-3, DPak
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IRF4905STRLPBF
IPA045N10N3GXKSA1
SIA446DJ-T1-GE3
IPA60R099C6XKSA1
IXTT1N250HV
IXTT1N250HV
$0 $/morceau
C3M0075120D
C3M0075120D
$0 $/morceau
5HP01M-TL-E-FS
STFU9N65M2
STFU9N65M2
$0 $/morceau
STP40NF10
STP40NF10
$0 $/morceau
IPD50R380CEAUMA1

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